- 部品番号FF6MR12W2M1B11BOMA1
- ブランドIR (Infineon Technologies)
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明MOSFET MODULE 1200V 200A
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-アレイ
在庫あり: 60
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価格:
- 1$323.73
- 15$310.05276
技術的な詳細
- シリーズ:CoolSiC™+
- パッケージ:Tray
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:2 N-Channel (Dual)
- fet機能:Silicon Carbide (SiC)
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:1200V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:200A (Tj)
- rds on（max）@ id、vgs:5.63mOhm @ 200A, 15V
- vgs（th）（max）@ id:5.55V @ 10mA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:496nC @ 15V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:14700pF @ 800V
- パワー-最大:20mW (Tc)
- 作動温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:Chassis Mount
- パッケージ/ケース:Module
- サプライヤーデバイスパッケージ:AG-EASY2BM-2
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