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技術的な詳細

  • シリーズ:GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
  • パッケージ:Tube
  • 部品ステータス:Active
  • fetタイプ:2 N-Channel (Dual)
  • fet機能:Standard
  • ドレイン-ソース間電圧(vdss):150V
  • 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:53A
  • rds on(max)@ id、vgs:20mOhm @ 55A, 10V

 

  • vgs(th)(max)@ id:4.5V @ 250µA
  • ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:150nC @ 10V
  • 入力容量(ciss)(max)@ vds:8600pF @ 25V
  • パワー-最大:180W
  • 作動温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • 取付タイプ:Through Hole
  • パッケージ/ケース:i4-Pac™-5
  • サプライヤーデバイスパッケージ:ISOPLUS i4-PAC™

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