- 部品番号FQD12N20LTM
- ブランドSanyo Semiconductor/ON Semiconductor
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-シングル
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価格:
- 1$0.82
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- 12,500$0.35819
- 25,000$0.35111
技術的な詳細
- シリーズ:QFET®
- パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:N-Channel
- 技術:MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:200 V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:9A (Tc)
- 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:5V, 10V
- rds on（max）@ id、vgs:280mOhm @ 4.5A, 10V
- vgs（th）（max）@ id:2V @ 250µA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:21 nC @ 5 V
- vgs（最大）:±20V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:1080 pF @ 25 V
- fet機能:-
- 消費電力（最大）:2.5W (Ta), 55W (Tc)
- 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- サプライヤーデバイスパッケージ:D-Pak
- パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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