- 部品番号FQPF19N20
- ブランドRochester Electronics
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-シングル
在庫あり: 13,022
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価格:
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技術的な詳細
- シリーズ:QFET®
- パッケージ:Bulk
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:N-Channel
- 技術:MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:200 V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:11.8A (Tc)
- 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:10V
- rds on（max）@ id、vgs:150mOhm @ 5.9A, 10V
- vgs（th）（max）@ id:5V @ 250µA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:40 nC @ 10 V
- vgs（最大）:±30V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:1.6 pF @ 25 V
- fet機能:-
- 消費電力（最大）:50W (Tc)
- 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:Through Hole
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220F
- パッケージ/ケース:TO-220-3 Full Pack
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