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技術的な詳細

  • シリーズ:CoolSiC™+
  • パッケージ:Tray
  • 部品ステータス:Active
  • fetタイプ:6 N-Channel (3-Phase Bridge)
  • fet機能:Silicon Carbide (SiC)
  • ドレイン-ソース間電圧(vdss):1200V
  • 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:25A (Tj)
  • rds on(max)@ id、vgs:45mOhm @ 25A, 15V (Typ)

 

  • vgs(th)(max)@ id:5.55V @ 10mA
  • ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:62nC @ 15V
  • 入力容量(ciss)(max)@ vds:1840pF @ 800V
  • パワー-最大:20mW (Tc)
  • 作動温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ:Chassis Mount
  • パッケージ/ケース:Module
  • サプライヤーデバイスパッケージ:AG-EASY1BM-2

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