技術的な詳細

• シリーズ:G2R™
• パッケージ:Tube
• 部品ステータス:Active
• fetタイプ:N-Channel
• 技術:SiCFET (Silicon Carbide)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:3300 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:35A
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:20V
• rds on（max）@ id、vgs:156mOhm @ 20A, 20V
• vgs（th）（max）@ id:-

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:145 nC @ 20 V
• vgs（最大）:+25V, -10V
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:3706 pF @ 1000 V
• fet機能:-
• 消費電力（最大）:-
• 作動温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
• 取付タイプ:Surface Mount
• サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263-7
• パッケージ/ケース:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA