- 部品番号G3R350MT12J
- ブランドGeneSiC Semiconductor
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-シングル
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価格:
- 1$5.9
技術的な詳細
- シリーズ:G3R™
- パッケージ:Tube
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:N-Channel
- 技術:SiCFET (Silicon Carbide)
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:1200 V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:11A (Tc)
- 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:15V
- rds on（max）@ id、vgs:420mOhm @ 4A, 15V
- vgs（th）（max）@ id:2.69V @ 2mA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:12 nC @ 15 V
- vgs（最大）:±15V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:334 pF @ 800 V
- fet機能:-
- 消費電力（最大）:75W (Tc)
- 作動温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263-7
- パッケージ/ケース:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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