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技術的な詳細

  • シリーズ:G3R™
  • パッケージ:Tube
  • 部品ステータス:Active
  • fetタイプ:N-Channel
  • 技術:SiCFET (Silicon Carbide)
  • ドレイン-ソース間電圧(vdss):1200 V
  • 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:41A (Tc)
  • 駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン):15V
  • rds on(max)@ id、vgs:90mOhm @ 20A, 15V
  • vgs(th)(max)@ id:2.69V @ 7.5mA

 

  • ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:54 nC @ 15 V
  • vgs(最大):±15V
  • 入力容量(ciss)(max)@ vds:1560 pF @ 800 V
  • fet機能:-
  • 消費電力(最大):207W (Tc)
  • 作動温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • 取付タイプ:Through Hole
  • サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-3
  • パッケージ/ケース:TO-247-3

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