技術的な詳細

• シリーズ:G3R™
• パッケージ:Tube
• 部品ステータス:Active
• fetタイプ:N-Channel
• 技術:SiCFET (Silicon Carbide)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:1200 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:41A (Tc)
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:15V
• rds on（max）@ id、vgs:90mOhm @ 20A, 15V
• vgs（th）（max）@ id:2.69V @ 7.5mA

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:54 nC @ 15 V
• vgs（最大）:±15V
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:1560 pF @ 800 V
• fet機能:-
• 消費電力（最大）:207W (Tc)
• 作動温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
• 取付タイプ:Through Hole
• サプライヤーデバイスパッケージ:TO-247-4
• パッケージ/ケース:TO-247-4