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技術的な詳細

  • シリーズ:-
  • パッケージ:Bulk
  • 部品ステータス:Not For New Designs
  • fetタイプ:-
  • 技術:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • ドレイン-ソース間電圧(vdss):300 V
  • 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:9A (Tc)
  • 駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン):-
  • rds on(max)@ id、vgs:240mOhm @ 5A
  • vgs(th)(max)@ id:-

 

  • ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:-
  • vgs(最大):-
  • 入力容量(ciss)(max)@ vds:-
  • fet機能:-
  • 消費電力(最大):20W (Tc)
  • 作動温度:-55°C ~ 225°C (TJ)
  • 取付タイプ:Through Hole
  • サプライヤーデバイスパッケージ:TO-46
  • パッケージ/ケース:TO-46-3

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