- 部品番号GA10JT12-263
- ブランドGeneSiC Semiconductor
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明TRANS SJT 1200V 25A
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-シングル
在庫あり: 170
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価格:
- 1$20.74
- 10$18.85539
- 50$17.44137
- 100$16.02723
- 250$14.6131
- 500$13.67031
技術的な詳細
- シリーズ:-
- パッケージ:Tube
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:-
- 技術:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:1200 V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:25A (Tc)
- 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:-
- rds on（max）@ id、vgs:120mOhm @ 10A
- vgs（th）（max）@ id:-
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:-
- vgs（最大）:-
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:1403 pF @ 800 V
- fet機能:-
- 消費電力（最大）:170W (Tc)
- 作動温度:175°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- サプライヤーデバイスパッケージ:-
- パッケージ/ケース:-
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