技術的な詳細

• シリーズ:-
• パッケージ:Bulk
• 部品ステータス:Active
• fetタイプ:-
• 技術:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:600 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:100A (Tc)
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:-
• rds on（max）@ id、vgs:25mOhm @ 50A
• vgs（th）（max）@ id:-

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:-
• vgs（最大）:-
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:-
• fet機能:-
• 消費電力（最大）:769W (Tc)
• 作動温度:-55°C ~ 225°C (TJ)
• 取付タイプ:Through Hole
• サプライヤーデバイスパッケージ:TO-258
• パッケージ/ケース:TO-258-3, TO-258AA