- 部品番号HGTP5N120BND
- ブランドSanyo Semiconductor/ON Semiconductor
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
- カテゴリートランジスタ-igbts-シングル
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価格:
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技術的な詳細
- シリーズ:-
- パッケージ:Tube
- 部品ステータス:Not For New Designs
- igbtタイプ:NPT
- 電圧-コレクターエミッターの故障（最大）:1200 V
- 電流-コレクター（ic）（最大）:21 A
- 電流-コレクターパルス（icm）:40 A
- vce（on）（max）@ vge、ic:2.7V @ 15V, 5A
- パワー-最大:167 W
- スイッチングエネルギー:450µJ (on), 390µJ (off)
- 入力方式:Standard
- ゲートチャージ:53 nC
- td（オン/オフ）@ 25°c:22ns/160ns
- 試験条件:960V, 5A, 25Ohm, 15V
- 逆回復時間（trr）:65 ns
- 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:Through Hole
- パッケージ/ケース:TO-220-3
- サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220-3
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