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価格:
  • 1$435

技術的な詳細

  • シリーズ:HTMOS™
  • パッケージ:Bulk
  • 部品ステータス:Active
  • fetタイプ:N-Channel
  • 技術:MOSFET (Metal Oxide)
  • ドレイン-ソース間電圧(vdss):55 V
  • 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:-
  • 駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン):5V
  • rds on(max)@ id、vgs:400mOhm @ 100mA, 5V
  • vgs(th)(max)@ id:2.4V @ 100µA

 

  • ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:4.3 nC @ 5 V
  • vgs(最大):10V
  • 入力容量(ciss)(max)@ vds:290 pF @ 28 V
  • fet機能:-
  • 消費電力(最大):50W (Tj)
  • 作動温度:-55°C ~ 225°C (TJ)
  • 取付タイプ:Through Hole
  • サプライヤーデバイスパッケージ:8-CDIP-EP
  • パッケージ/ケース:8-CDIP Exposed Pad

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