技術的な詳細

• シリーズ:HTMOS™
• パッケージ:Bulk
• 部品ステータス:Active
• fetタイプ:N-Channel
• 技術:MOSFET (Metal Oxide)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:55 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:-
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:5V
• rds on（max）@ id、vgs:400mOhm @ 100mA, 5V
• vgs（th）（max）@ id:2.4V @ 100µA

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:4.3 nC @ 5 V
• vgs（最大）:10V
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:290 pF @ 28 V
• fet機能:-
• 消費電力（最大）:50W (Tj)
• 作動温度:-
• 取付タイプ:Through Hole
• サプライヤーデバイスパッケージ:-
• パッケージ/ケース:8-CDIP Exposed Pad