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技術的な詳細

  • シリーズ:CoolSiC™+
  • パッケージ:Bulk
  • 部品ステータス:Active
  • ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
  • 電圧-DCリバース(vr)(最大):650 V
  • 現在-平均整流(io):4A (DC)
  • 電圧-順方向(vf)(最大)@ if:1.7 V @ 4 A
  • 速度:No Recovery Time > 500mA (Io)

 

  • 逆回復時間(trr):0 ns
  • 電流-逆リーク@vr:70 µA @ 650 V
  • 静電容量@ vr、f:130pF @ 1V, 1MHz
  • 取付タイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:4-PowerTSFN
  • サプライヤーデバイスパッケージ:PG-VSON-4
  • 作動温度-ジャンクション:-55°C ~ 175°C

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