- 部品番号IGT60R190D1SATMA1
- ブランドIR (Infineon Technologies)
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-シングル
在庫あり: 50
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価格:
- 1$15.05
- 2,000$9.17476
技術的な詳細
- シリーズ:CoolGaN™
- パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:N-Channel
- 技術:GaNFET (Gallium Nitride)
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:600 V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:12.5A (Tc)
- 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:-
- rds on（max）@ id、vgs:-
- vgs（th）（max）@ id:1.6V @ 960µA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:-
- vgs（最大）:-10V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:157 pF @ 400 V
- fet機能:-
- 消費電力（最大）:55.5W (Tc)
- 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- サプライヤーデバイスパッケージ:PG-HSOF-8-3
- パッケージ/ケース:8-PowerSFN
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