技術的な詳細

• シリーズ:CoolSiC™
• パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
• 部品ステータス:Active
• fetタイプ:N-Channel
• 技術:SiCFET (Silicon Carbide)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:1700 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:5.2A (Tc)
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:12V, 15V
• rds on（max）@ id、vgs:1000mOhm @ 1A, 15V
• vgs（th）（max）@ id:5.7V @ 1.1mA

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:5 nC @ 12 V
• vgs（最大）:+20V, -10V
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:275 pF @ 1000 V
• fet機能:-
• 消費電力（最大）:68W (Tc)
• 作動温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
• 取付タイプ:-
• サプライヤーデバイスパッケージ:PG-TO263-7
• パッケージ/ケース:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA