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技術的な詳細

  • シリーズ:CoolSiC™
  • パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 部品ステータス:Active
  • fetタイプ:N-Channel
  • 技術:SiCFET (Silicon Carbide)
  • ドレイン-ソース間電圧(vdss):1700 V
  • 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:7.4A (Tc)
  • 駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン):12V, 15V
  • rds on(max)@ id、vgs:650mOhm @ 1.5A, 15V
  • vgs(th)(max)@ id:5.7V @ 1.7mA

 

  • ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:8 nC @ 12 V
  • vgs(最大):+20V, -10V
  • 入力容量(ciss)(max)@ vds:422 pF @ 1000 V
  • fet機能:-
  • 消費電力(最大):88W (Tc)
  • 作動温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • 取付タイプ:-
  • サプライヤーデバイスパッケージ:PG-TO263-7
  • パッケージ/ケース:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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