- 部品番号IMBG120R090M1HXTMA1
- ブランドIR (Infineon Technologies)
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明TRANS SJT N-CH 1.2KV 26A TO263
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-シングル
在庫あり: 2,031
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価格:
- 1$14.47
技術的な詳細
- シリーズ:CoolSiC™
- パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:N-Channel
- 技術:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- ドレイン-ソース間電圧(vdss):1.2 kV
- 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:26A (Tc)
- 駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン):-
- rds on(max)@ id、vgs:125mOhm @ 8.5A, 18V
- vgs(th)(max)@ id:5.7V @ 3.7mA
- ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:23 nC @ 18 V
- vgs(最大):+18V, -15V
- 入力容量(ciss)(max)@ vds:763 pF @ 800 V
- fet機能:Standard
- 消費電力(最大):136W (Tc)
- 作動温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- サプライヤーデバイスパッケージ:PG-TO263-7-12
- パッケージ/ケース:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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