- 部品番号IMZ120R030M1HXKSA1
- ブランドIR (Infineon Technologies)
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-4
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-シングル
在庫あり: 3,526
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価格:
- 1$24.07
技術的な詳細
- シリーズ:CoolSiC™
- パッケージ:Tube
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:N-Channel
- 技術:SiCFET (Silicon Carbide)
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:1.2 kV
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:56A (Tc)
- 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:15V, 18V
- rds on（max）@ id、vgs:40mOhm @ 25A, 18V
- vgs（th）（max）@ id:5.7V @ 10mA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:63 nC @ 18 V
- vgs（最大）:+23V, -7V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:2.12 nF @ 800 V
- fet機能:-
- 消費電力（最大）:227W (Tc)
- 作動温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取付タイプ:Through Hole
- サプライヤーデバイスパッケージ:PG-TO247-4-1
- パッケージ/ケース:TO-247-4
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