- 部品番号IPA65R190E6XKSA1
- ブランドRochester Electronics
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明PFET, 650V, 0.19OHM, 1-ELEMENT,
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-シングル
在庫あり: 3,684
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価格:
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技術的な詳細
- シリーズ:CoolMOS™
- パッケージ:Bulk
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:N-Channel
- 技術:MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:650 V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:20.2A (Tc)
- 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:10V
- rds on（max）@ id、vgs:190mOhm @ 7.3A, 10V
- vgs（th）（max）@ id:3.5V @ 730µA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:73 nC @ 10 V
- vgs（最大）:±20V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:1.62 pF @ 100 V
- fet機能:-
- 消費電力（最大）:34W (Tc)
- 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:Through Hole
- サプライヤーデバイスパッケージ:PG-TO220 Full Pack
- パッケージ/ケース:TO-220-3 Full Pack
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