技術的な詳細

• シリーズ:CoolMOS™
• パッケージ:Bulk
• 部品ステータス:Active
• fetタイプ:N-Channel
• 技術:MOSFET (Metal Oxide)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:500 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:5A (Tc)
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:13V
• rds on（max）@ id、vgs:800mOhm @ 1.5A, 13V
• vgs（th）（max）@ id:3.5V @ 130µA

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:12.4 nC @ 10 V
• vgs（最大）:±20V
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:280 pF @ 100 V
• fet機能:Super Junction
• 消費電力（最大）:40W (Tc)
• 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
• 取付タイプ:Surface Mount
• サプライヤーデバイスパッケージ:PG-TO252-3
• パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63