- 部品番号IPD65R600E6BTMA1
- ブランドIR (Infineon Technologies)
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-シングル
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技術的な詳細
- シリーズ:CoolMOS™
- パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- 部品ステータス:Obsolete
- fetタイプ:N-Channel
- 技術:MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:650 V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:7.3A (Tc)
- 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:10V
- rds on（max）@ id、vgs:600mOhm @ 2.1A, 10V
- vgs（th）（max）@ id:3.5V @ 210µA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:23 nC @ 10 V
- vgs（最大）:±20V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:440 pF @ 100 V
- fet機能:-
- 消費電力（最大）:63W (Tc)
- 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- サプライヤーデバイスパッケージ:PG-TO252-3
- パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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