- 部品番号IPG20N06S2L50ATMA1
- ブランドIR (Infineon Technologies)
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-アレイ
在庫あり: 3,111
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価格:
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技術的な詳細
- シリーズ:OptiMOS™
- パッケージ:Tape & Reel (TR)
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:2 N-Channel (Dual)
- fet機能:Logic Level Gate
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:55V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:20A
- rds on（max）@ id、vgs:50mOhm @ 15A, 10V
- vgs（th）（max）@ id:2V @ 19µA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:17nC @ 10V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:560pF @ 25V
- パワー-最大:51W
- 作動温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-PowerVDFN
- サプライヤーデバイスパッケージ:PG-TDSON-8-4
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