- 部品番号IPP65R190E6XKSA1
- ブランドIR (Infineon Technologies)
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-シングル
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価格:
- 1$3.34
- 10$2.9831
- 100$2.44583
- 500$1.98057
- 1,000$1.67035
技術的な詳細
- シリーズ:CoolMOS™
- パッケージ:Tube
- 部品ステータス:Not For New Designs
- fetタイプ:N-Channel
- 技術:MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン-ソース間電圧(vdss):650 V
- 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:20.2A (Tc)
- 駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン):10V
- rds on(max)@ id、vgs:190mOhm @ 7.3A, 10V
- vgs(th)(max)@ id:3.5V @ 730µA
- ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:73 nC @ 10 V
- vgs(最大):±20V
- 入力容量(ciss)(max)@ vds:1620 pF @ 100 V
- fet機能:-
- 消費電力(最大):151W (Tc)
- 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:Through Hole
- サプライヤーデバイスパッケージ:PG-TO220-3
- パッケージ/ケース:TO-220-3
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