- 部品番号IRF5806
- ブランドIR (Infineon Technologies)
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明MOSFET P-CH 20V 4A MICRO6
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-シングル
在庫あり: 2,668
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技術的な詳細
- シリーズ:HEXFET®
- パッケージ:Tube
- 部品ステータス:Obsolete
- fetタイプ:P-Channel
- 技術:MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:20 V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:4A (Ta)
- 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:2.5V, 4.5V
- rds on（max）@ id、vgs:86mOhm @ 4A, 4.5V
- vgs（th）（max）@ id:1.2V @ 250µA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:11.4 nC @ 4.5 V
- vgs（最大）:±20V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:594 pF @ 15 V
- fet機能:-
- 消費電力（最大）:2W (Ta)
- 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- サプライヤーデバイスパッケージ:Micro6™(TSOP-6)
- パッケージ/ケース:SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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