技術的な詳細

• シリーズ:HEXFET®
• パッケージ:Bulk
• 部品ステータス:Active
• fetタイプ:P-Channel
• 技術:MOSFET (Metal Oxide)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:150 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:2.2A (Ta)
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:10V
• rds on（max）@ id、vgs:240mOhm @ 1.3A, 10V
• vgs（th）（max）@ id:5V @ 250µA

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:49 nC @ 10 V
• vgs（最大）:±20V
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:1.28 pF @ 25 V
• fet機能:-
• 消費電力（最大）:2.5W (Ta)
• 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
• 取付タイプ:Surface Mount
• サプライヤーデバイスパッケージ:8-SO
• パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)