- 部品番号IRF630NS
- ブランドIR (Infineon Technologies)
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-シングル
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技術的な詳細
- シリーズ:HEXFET®
- パッケージ:Tube
- 部品ステータス:Obsolete
- fetタイプ:N-Channel
- 技術:MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:200 V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:9.3A (Tc)
- 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:10V
- rds on（max）@ id、vgs:300mOhm @ 5.4A, 10V
- vgs（th）（max）@ id:4V @ 250µA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:35 nC @ 10 V
- vgs（最大）:±20V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:575 pF @ 25 V
- fet機能:-
- 消費電力（最大）:82W (Tc)
- 作動温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- サプライヤーデバイスパッケージ:D2PAK
- パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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