- 部品番号IRF6785MTRPBF
- ブランドIR (Infineon Technologies)
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-シングル
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価格:
- 1$1.276
- 4,800$1.2584
技術的な詳細
- シリーズ:HEXFET®
- パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:N-Channel
- 技術:MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン-ソース間電圧(vdss):200 V
- 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:3.4A (Ta), 19A (Tc)
- 駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン):10V
- rds on(max)@ id、vgs:100mOhm @ 4.2A, 10V
- vgs(th)(max)@ id:5V @ 100µA
- ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:36 nC @ 10 V
- vgs(最大):±20V
- 入力容量(ciss)(max)@ vds:1500 pF @ 25 V
- fet機能:-
- 消費電力(最大):2.8W (Ta), 57W (Tc)
- 作動温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- サプライヤーデバイスパッケージ:DIRECTFET™ MZ
- パッケージ/ケース:DirectFET™ Isometric MZ
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