技術的な詳細

• シリーズ:HEXFET®
• パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
• 部品ステータス:Obsolete
• fetタイプ:N-Channel
• 技術:MOSFET (Metal Oxide)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:25 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:28A (Ta), 125A (Tc)
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:4.5V, 10V
• rds on（max）@ id、vgs:1.7mOhm @ 28A, 10V
• vgs（th）（max）@ id:2.1V @ 50µA

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:25 nC @ 4.5 V
• vgs（最大）:±16V
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:2510 pF @ 13 V
• fet機能:-
• 消費電力（最大）:2.1W (Ta), 42W (Tc)
• 作動温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
• 取付タイプ:Surface Mount
• サプライヤーデバイスパッケージ:DIRECTFET™ S3C
• パッケージ/ケース:DirectFET™ Isometric S3C