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技術的な詳細

  • シリーズ:HEXFET®
  • パッケージ:Bulk
  • 部品ステータス:Active
  • fetタイプ:N-Channel
  • 技術:MOSFET (Metal Oxide)
  • ドレイン-ソース間電圧(vdss):25 V
  • 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:32A (Ta), 160A (Tc)
  • 駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン):4.5V, 10V
  • rds on(max)@ id、vgs:1.3mOhm @ 33A, 10V
  • vgs(th)(max)@ id:2.1V @ 100µA

 

  • ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:39 nC @ 4.5 V
  • vgs(最大):±16V
  • 入力容量(ciss)(max)@ vds:4.16 pF @ 13 V
  • fet機能:Schottky Diode (Body)
  • 消費電力(最大):2.1W (Ta), 54W (Tc)
  • 作動温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ:Surface Mount
  • サプライヤーデバイスパッケージ:DIRECTFET™ MX
  • パッケージ/ケース:DirectFET™ Isometric MX

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