技術的な詳細

• シリーズ:HEXFET®
• パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
• 部品ステータス:Active
• fetタイプ:2 P-Channel (Dual)
• fet機能:Logic Level Gate
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:55V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:3.4A
• rds on（max）@ id、vgs:105mOhm @ 3.4A, 10V

• vgs（th）（max）@ id:1V @ 250µA
• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:38nC @ 10V
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:690pF @ 25V
• パワー-最大:2W
• 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
• 取付タイプ:Surface Mount
• パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• サプライヤーデバイスパッケージ:8-SO