技術的な詳細

• シリーズ:HEXFET®
• パッケージ:Tube
• 部品ステータス:Obsolete
• fetタイプ:P-Channel
• 技術:MOSFET (Metal Oxide)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:12 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:11.5A (Tc)
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:1.8V, 4.5V
• rds on（max）@ id、vgs:14mOhm @ 11.5A, 4.5V
• vgs（th）（max）@ id:900mV @ 250µA

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:38 nC @ 4.5 V
• vgs（最大）:±8V
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:3529 pF @ 10 V
• fet機能:-
• 消費電力（最大）:2.5W (Ta)
• 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
• 取付タイプ:Surface Mount
• サプライヤーデバイスパッケージ:8-SO
• パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)