技術的な詳細

• シリーズ:HEXFET®
• パッケージ:Tube
• 部品ステータス:Obsolete
• fetタイプ:N-Channel
• 技術:MOSFET (Metal Oxide)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:40 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:10A (Ta)
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:2.8V, 10V
• rds on（max）@ id、vgs:13mOhm @ 10A, 10V
• vgs（th）（max）@ id:2V @ 250µA

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:44 nC @ 4.5 V
• vgs（最大）:±12V
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:3.43 pF @ 20 V
• fet機能:-
• 消費電力（最大）:2.5W (Ta)
• 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
• 取付タイプ:Surface Mount
• サプライヤーデバイスパッケージ:8-SO
• パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)