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技術的な詳細

  • シリーズ:HEXFET®
  • パッケージ:Tube
  • 部品ステータス:Obsolete
  • fetタイプ:P-Channel
  • 技術:MOSFET (Metal Oxide)
  • ドレイン-ソース間電圧(vdss):20 V
  • 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:8.2A (Ta)
  • 駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン):2.5V, 4.5V
  • rds on(max)@ id、vgs:20mOhm @ 7A, 4.5V
  • vgs(th)(max)@ id:1.2V @ 250µA

 

  • ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:45 nC @ 5 V
  • vgs(最大):±12V
  • 入力容量(ciss)(max)@ vds:2520 pF @ 10 V
  • fet機能:-
  • 消費電力(最大):1.8W (Ta)
  • 作動温度:-
  • 取付タイプ:Surface Mount
  • サプライヤーデバイスパッケージ:Micro8™
  • パッケージ/ケース:8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

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