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技術的な詳細

  • シリーズ:HEXFET®
  • パッケージ:Tube
  • 部品ステータス:Obsolete
  • fetタイプ:P-Channel
  • 技術:MOSFET (Metal Oxide)
  • ドレイン-ソース間電圧(vdss):12 V
  • 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:8A (Tc)
  • 駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン):1.8V, 4.5V
  • rds on(max)@ id、vgs:14mOhm @ 8A, 4.5V
  • vgs(th)(max)@ id:1.2V @ 250µA

 

  • ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:81 nC @ 4.5 V
  • vgs(最大):±8V
  • 入力容量(ciss)(max)@ vds:3470 pF @ 10 V
  • fet機能:-
  • 消費電力(最大):1.5W (Tc)
  • 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ:Surface Mount
  • サプライヤーデバイスパッケージ:8-TSSOP
  • パッケージ/ケース:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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