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技術的な詳細

  • シリーズ:HEXFET®
  • パッケージ:Bulk
  • 部品ステータス:Active
  • fetタイプ:2 N-Channel (Dual)
  • fet機能:-
  • ドレイン-ソース間電圧(vdss):30V
  • 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:6.4A (Ta), 9.7A (Ta)
  • rds on(max)@ id、vgs:22.6mOhm @ 6.4A, 10V, 14.4mOhm @ 9.7A, 10V

 

  • vgs(th)(max)@ id:2.25V @ 25µA
  • ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:6.9nC, 9.8nC @ 4.5V
  • 入力容量(ciss)(max)@ vds:580pF, 900pF @ 15V
  • パワー-最大:1.4W (Ta), 2W (Ta)
  • 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • サプライヤーデバイスパッケージ:8-SO

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