- 部品番号IRF8915PBF
- ブランドRochester Electronics
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明HEXFET POWER MOSFET
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-アレイ
在庫あり: 3,349
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価格:
- 1$0.2
技術的な詳細
- シリーズ:HEXFET®
- パッケージ:Tube
- 部品ステータス:Obsolete
- fetタイプ:2 N-Channel (Dual)
- fet機能:Logic Level Gate
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:20V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:8.9A
- rds on（max）@ id、vgs:18.3mOhm @ 8.9A, 10V
- vgs（th）（max）@ id:2.5V @ 250µA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:7.4nC @ 4.5V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:540pF @ 10V
- パワー-最大:2W
- 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SO
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