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技術的な詳細

  • シリーズ:HEXFET®
  • パッケージ:Tube
  • 部品ステータス:Active
  • fetタイプ:N-Channel
  • 技術:MOSFET (Metal Oxide)
  • ドレイン-ソース間電圧(vdss):100 V
  • 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:88A (Tc)
  • 駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン):10V
  • rds on(max)@ id、vgs:10mOhm @ 58A, 10V
  • vgs(th)(max)@ id:4V @ 150µA

 

  • ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:180 nC @ 10 V
  • vgs(最大):±20V
  • 入力容量(ciss)(max)@ vds:5150 pF @ 50 V
  • fet機能:-
  • 消費電力(最大):200W (Tc)
  • 作動温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • 取付タイプ:Through Hole
  • サプライヤーデバイスパッケージ:TO-220AB
  • パッケージ/ケース:TO-220-3

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