技術的な詳細

• シリーズ:-
• パッケージ:Bulk
• 部品ステータス:Active
• fetタイプ:P-Channel
• 技術:MOSFET (Metal Oxide)
• ドレイン-ソース間電圧（vdss）:100 V
• 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:700mA (Ta)
• 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:10V
• rds on（max）@ id、vgs:1.2Ohm @ 420mA, 10V
• vgs（th）（max）@ id:4V @ 250µA

• ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:8.7 nC @ 10 V
• vgs（最大）:±20V
• 入力容量（ciss）（max）@ vds:200 pF @ 25 V
• fet機能:-
• 消費電力（最大）:1.3W (Ta)
• 作動温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
• 取付タイプ:Through Hole
• サプライヤーデバイスパッケージ:4-DIP, Hexdip, HVMDIP
• パッケージ/ケース:4-DIP (0.300", 7.62mm)