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技術的な詳細

  • シリーズ:HEXFET®
  • パッケージ:Bulk
  • 部品ステータス:Active
  • fetタイプ:N-Channel
  • 技術:MOSFET (Metal Oxide)
  • ドレイン-ソース間電圧(vdss):30 V
  • 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:13A (Ta), 43A (Tc)
  • 駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン):-
  • rds on(max)@ id、vgs:9mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th)(max)@ id:2.35V @ 25µA

 

  • ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:15 nC @ 10 V
  • vgs(最大):±20V
  • 入力容量(ciss)(max)@ vds:1180 pF @ 10 V
  • fet機能:-
  • 消費電力(最大):2.7W (Ta), 28W (Tc)
  • 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ:Surface Mount
  • サプライヤーデバイスパッケージ:8-PQFN-Dual (3.3x3.3), Power33
  • パッケージ/ケース:8-PowerVDFN

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