- 部品番号IRFS31N20DTRLP
- ブランドRochester Electronics
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-シングル
在庫あり: 2,690
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価格:
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- 800$0.97
- 1,600$0.89806
- 2,400$0.84271
- 5,600$0.81504
技術的な詳細
- シリーズ:HEXFET®
- パッケージ:Bulk
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:N-Channel
- 技術:MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン-ソース間電圧(vdss):200 V
- 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:31A (Tc)
- 駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン):10V
- rds on(max)@ id、vgs:82mOhm @ 18A, 10V
- vgs(th)(max)@ id:5.5V @ 250µA
- ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:107 nC @ 10 V
- vgs(最大):±30V
- 入力容量(ciss)(max)@ vds:2.37 pF @ 25 V
- fet機能:-
- 消費電力(最大):3.1W (Ta), 200W (Tc)
- 作動温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- サプライヤーデバイスパッケージ:D2PAK
- パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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