- 部品番号IRFS59N10DPBF
- ブランドRochester Electronics
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-シングル
在庫あり: 3,450
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価格:
- 1$0.94
- 10$0.846
- 100$0.7032
- 500$0.57941
- 1,000$0.49688
技術的な詳細
- シリーズ:HEXFET®
- パッケージ:Tube
- 部品ステータス:Obsolete
- fetタイプ:N-Channel
- 技術:MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン-ソース間電圧(vdss):100 V
- 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:59A (Tc)
- 駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン):10V
- rds on(max)@ id、vgs:25mOhm @ 35.4A, 10V
- vgs(th)(max)@ id:5.5V @ 250µA
- ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:114 nC @ 10 V
- vgs(最大):±30V
- 入力容量(ciss)(max)@ vds:2.45 pF @ 25 V
- fet機能:-
- 消費電力(最大):3.8W (Ta), 200W (Tc)
- 作動温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- サプライヤーデバイスパッケージ:D2PAK
- パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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