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技術的な詳細

  • シリーズ:HEXFET®
  • パッケージ:Bulk
  • 部品ステータス:Active
  • fetタイプ:N-Channel
  • 技術:MOSFET (Metal Oxide)
  • ドレイン-ソース間電圧(vdss):60 V
  • 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:48A (Tc)
  • 駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン):10V
  • rds on(max)@ id、vgs:23mOhm @ 29A, 10V
  • vgs(th)(max)@ id:4V @ 250µA

 

  • ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:60 nC @ 10 V
  • vgs(最大):±20V
  • 入力容量(ciss)(max)@ vds:1.36 pF @ 25 V
  • fet機能:-
  • 消費電力(最大):110W (Tc)
  • 作動温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • 取付タイプ:Surface Mount
  • サプライヤーデバイスパッケージ:D2PAK
  • パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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