- 部品番号IRL6372TRPBF
- ブランドIR (Infineon Technologies)
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-アレイ
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価格:
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技術的な詳細
- シリーズ:HEXFET®
- パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:2 N-Channel (Dual)
- fet機能:Logic Level Gate
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:30V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:8.1A
- rds on（max）@ id、vgs:17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V
- vgs（th）（max）@ id:1.1V @ 10µA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:11nC @ 4.5V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:1020pF @ 25V
- パワー-最大:2W
- 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- パッケージ/ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- サプライヤーデバイスパッケージ:8-SO
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