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技術的な詳細

  • シリーズ:HEXFET®
  • パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • 部品ステータス:Active
  • fetタイプ:P-Channel
  • 技術:MOSFET (Metal Oxide)
  • ドレイン-ソース間電圧(vdss):20 V
  • 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:780mA (Ta)
  • 駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン):2.7V, 4.5V
  • rds on(max)@ id、vgs:600mOhm @ 610mA, 4.5V
  • vgs(th)(max)@ id:1.5V @ 250µA

 

  • ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:3.6 nC @ 4.45 V
  • vgs(最大):±12V
  • 入力容量(ciss)(max)@ vds:97 pF @ 15 V
  • fet機能:-
  • 消費電力(最大):540mW (Ta)
  • 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ:Surface Mount
  • サプライヤーデバイスパッケージ:Micro3™/SOT-23
  • パッケージ/ケース:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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