- 部品番号IRLU2905ZPBF
- ブランドRochester Electronics
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-シングル
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価格:
- 1$0.59
- 10$0.52232
- 100$0.41276
- 500$0.3201
- 1,000$0.25271
技術的な詳細
- シリーズ:HEXFET®
- パッケージ:Bulk
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:N-Channel
- 技術:MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン-ソース間電圧(vdss):55 V
- 電流-連続ドレイン(id)@ 25°c:42A (Tc)
- 駆動電圧(最大rdsオン、最小rdsオン):4.5V, 10V
- rds on(max)@ id、vgs:13.5mOhm @ 36A, 10V
- vgs(th)(max)@ id:3V @ 250µA
- ゲート電荷(qg)(最大)@ vgs:35 nC @ 5 V
- vgs(最大):±16V
- 入力容量(ciss)(max)@ vds:1.57 pF @ 25 V
- fet機能:-
- 消費電力(最大):110W (Tc)
- 作動温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
- 取付タイプ:Through Hole
- サプライヤーデバイスパッケージ:IPAK (TO-251)
- パッケージ/ケース:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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