- 部品番号ISP25DP06LMSATMA1
- ブランドIR (Infineon Technologies)
- ライフサイクルステータス Active
- RoHS RoHS Compliant
- 説明MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
- カテゴリートランジスタ-FET、MOSFET-シングル
在庫あり: 2,746
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技術的な詳細
- シリーズ:OptiMOS™
- パッケージ:Tape & Reel (TR)
- 部品ステータス:Active
- fetタイプ:P-Channel
- 技術:MOSFET (Metal Oxide)
- ドレイン-ソース間電圧（vdss）:60 V
- 電流-連続ドレイン（id）@ 25°c:1.9A (Ta)
- 駆動電圧（最大rdsオン、最小rdsオン）:4.5V, 10V
- rds on（max）@ id、vgs:250mOhm @ 1.9A, 10V
- vgs（th）（max）@ id:2V @ 270µA
- ゲート電荷（qg）（最大）@ vgs:13.9 nC @ 10 V
- vgs（最大）:±20V
- 入力容量（ciss）（max）@ vds:420 pF @ 30 V
- fet機能:-
- 消費電力（最大）:1.8W (Ta), 5W (Tc)
- 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
- 取付タイプ:Surface Mount
- サプライヤーデバイスパッケージ:PG-SOT223
- パッケージ/ケース:TO-261-3
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