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技術的な詳細

  • シリーズ:BIMOSFET™
  • パッケージ:Tube
  • 部品ステータス:Active
  • igbtタイプ:NPT
  • 電圧-コレクターエミッターの故障(最大):3000 V
  • 電流-コレクター(ic)(最大):38 A
  • 電流-コレクターパルス(icm):120 A
  • vce(on)(max)@ vge、ic:2.7V @ 15V, 14A
  • パワー-最大:200 W
  • スイッチングエネルギー:-

 

  • 入力方式:Standard
  • ゲートチャージ:62 nC
  • td(オン/オフ)@ 25°c:40ns/166ns
  • 試験条件:960V, 14A, 20Ohm, 15V
  • 逆回復時間(trr):1.4 µs
  • 作動温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • 取付タイプ:Surface Mount
  • パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • サプライヤーデバイスパッケージ:TO-263

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